据韩媒 ZDNET Korea 9月28日报道，三星电子正在加快平泽P5晶圆厂PH1阶段DRAM内存生产线的建设进度。
报道称，三星电子已于本季度启动P5 PH1的洁净室施工，时间早于原先预估。按照当前进度，半导体制造设备预计在2027年7至8月期间进场。
不过，有消息人士透露，三星电子目前要求将设备导入时间提前至明年5至6月，甚至希望在2027年第一季度就获取设备并临时存放在其他地点。三星电子对P5项目提前投资的意愿十分强烈。
此外，三星电子正与合作伙伴讨论将P5 PH2打造为尖端NAND闪存生产线的方案。由于设备交货周期显著延长，三星电子正要求合作伙伴提前准备相关零部件。